Epitaxial (EPI) Silicon Wafer Featured Image

ეპიტაქსიალური (EPI) სილიკონის ვაფლი

აღწერა

ეპიტაქსიალური სილიკონის ვაფლიან EPI სილიკონის ვაფლი, არის ნახევარგამტარი ბროლის ფენის ვაფლი, რომელიც დეპონირდება სილიკონის სუბსტრატის გაპრიალებულ კრისტალურ ზედაპირზე ეპიტაქსიური ზრდის შედეგად.ეპიტაქსიალური ფენა შეიძლება იყოს იგივე მასალა, როგორც სუბსტრატი ჰომოგენური ეპიტაქსიური ზრდის შედეგად, ან ეგზოტიკური ფენა სპეციფიკური სასურველი ხარისხის ჰეტეროგენული ეპიტაქსიური ზრდის შედეგად, რომელიც იყენებს ეპიტაქსიური ზრდის ტექნოლოგიას, რომელიც მოიცავს ქიმიურ ორთქლის დეპონირებას CVD, თხევადი ფაზის ეპიტაქსია LPE, ასევე მოლეკულური სხივი. epitaxy MBE დაბალი დეფექტის სიმკვრივისა და კარგი ზედაპირის უხეშობის უმაღლესი ხარისხის მისაღწევად.სილიკონის ეპიტაქსიალური ვაფლები ძირითადად გამოიყენება მოწინავე ნახევარგამტარული მოწყობილობების, უაღრესად ინტეგრირებული ნახევარგამტარული ელემენტების IC-ების, დისკრეტული და დენის მოწყობილობების წარმოებაში, ასევე გამოიყენება დიოდისა და ტრანზისტორი ან სუბსტრატისთვის IC-სთვის, როგორიცაა ბიპოლარული ტიპის, MOS და BiCMOS მოწყობილობები.გარდა ამისა, მრავალშრიანი ეპიტაქსიალური და სქელი ფირის EPI სილიკონის ვაფლები ხშირად გამოიყენება მიკროელექტრონიკაში, ფოტონიკასა და ფოტოელექტროსადგურებში.

მიწოდება

ეპიტაქსიალური სილიკონის ვაფლები ან EPI სილიკონის ვაფლი Western Minmetals (SC) Corporation-ში შეიძლება შემოგთავაზოთ ზომით 4, 5 და 6 ინჩი (100 მმ, 125 მმ, 150 მმ დიამეტრი), ორიენტირებით <100>, <111>, ეპილარის წინააღმდეგობის <1 ომამდე. -სმ ან 150 ოჰმ-სმ-მდე და ეპი ფენის სისქე<1მმ ან 150მუმ-მდე, სხვადასხვა მოთხოვნების დასაკმაყოფილებლად, ამოჭრილი ან LTO დამუშავების ზედაპირის მოპირკეთებისას, შეფუთული კასეტაში გარე მუყაოს კოლოფით, ან მორგებული სპეციფიკაციის მიხედვით სრულყოფილი გადაწყვეტისთვის. .

გამოკითხვა ახლა

დეტალები

ტეგები

Ტექნიკური სპეციფიკაცია

ეპი სილიკონის ვაფლი

ეპიტაქსიალური სილიკონის ვაფლებიან EPI Silicon Wafer at Western Minmetals (SC) Corporation შეიძლება შემოგთავაზოთ ზომით 4, 5 და 6 ინჩი (100 მმ, 125 მმ, 150 მმ დიამეტრი), ორიენტირებით <100>, <111>, ეპი ფენის წინააღმდეგობის <1 ომ-სმ ან 150 ოჰმ-სმ-მდე და ეპი ფენის სისქე<1მმ ან 150მმ-მდე, აკმაყოფილებდეს სხვადასხვა მოთხოვნებს ოქროპირული ან LTO დამუშავების ზედაპირის მოპირკეთებისას, შეფუთული კასეტაში გარე მუყაოს ყუთით, ან მორგებული სპეციფიკაციების მიხედვით სრულყოფილი გადაწყვეტისთვის.

სიმბოლო	Si
ატომური ნომერი	14
ატომური წონა	28.09
ელემენტების კატეგორია	მეტალოიდი
ჯგუფი, პერიოდი, ბლოკი	14, 3, პ
კრისტალური სტრუქტურა	ბრილიანტი
ფერი	Მუქი ნაცრისფერი
დნობის წერტილი	1414°C, 1687.15 K
Დუღილის წერტილი	3265°C, 3538.15 კ
სიმკვრივე 300K	2,329 გ/სმ³
შინაგანი წინააღმდეგობა	3.2E5 Ω-სმ
CAS ნომერი	7440-21-3
EC ნომერი	231-130-8

არა.	ნივთები	სტანდარტული სპეციფიკაცია
1	Ზოგადი მახასიათებლები
1-1	ზომა	4"	5"	6"
1-2	დიამეტრი მმ	100±0.5	125±0.5	150±0.5
1-3	ორიენტაცია	<100>, <111>	<100>, <111>	<100>, <111>
2	ეპიტაქსიალური ფენის მახასიათებლები
2-1	ზრდის მეთოდი	CVD	CVD	CVD
2-2	გამტარობის ტიპი	P ან P+, N/ ან N+	P ან P+, N/ ან N+	P ან P+, N/ ან N+
2-3	სისქე მმ	2,5-120	2,5-120	2,5-120
2-4	სისქის ერთგვაროვნება	≤3%	≤3%	≤3%
2-5	წინაღობა Ω-სმ	0,1-50	0,1-50	0,1-50
2-6	წინააღმდეგობის ერთგვაროვნება	≤3%	≤5%	-
2-7	დისლოკაცია სმ-2	<10	<10	<10
2-8	ზედაპირის ხარისხი	არ რჩება ჩიპი, ნისლი ან ფორთოხლის კანი და ა.შ.
3	სახელურის სუბსტრატის მახასიათებლები
3-1	ზრდის მეთოდი	CZ	CZ	CZ
3-2	გამტარობის ტიპი	P/N	P/N	P/N
3-3	სისქე მმ	525-675 წწ	525-675 წწ	525-675 წწ
3-4	სისქე ერთგვაროვნება მაქს	3%	3%	3%
3-5	წინაღობა Ω-სმ	Როგორც საჭიროა	Როგორც საჭიროა	Როგორც საჭიროა
3-6	წინააღმდეგობის ერთგვაროვნება	5%	5%	5%
3-7	TTV μm max	10	10	10
3-8	მშვილდი მმ მაქს	30	30	30
3-9	Warp μm max	30	30	30
3-10	EPD სმ-2 მაქს	100	100	100
3-11	კიდეების პროფილი	დამრგვალებული	დამრგვალებული	დამრგვალებული
3-12	ზედაპირის ხარისხი	არ რჩება ჩიპი, ნისლი ან ფორთოხლის კანი და ა.შ.
3-13	უკანა მხარეს დასრულება	ამოტვიფრული ან LTO (5000±500A)
4	შეფუთვა	კასეტა შიგნით, მუყაოს ყუთი გარეთ.

სილიკონის ეპიტაქსიალური ვაფლებიძირითადად გამოიყენება მოწინავე ნახევარგამტარული მოწყობილობების, უაღრესად ინტეგრირებული ნახევარგამტარული ელემენტების IC-ების, დისკრეტული და დენის მოწყობილობების წარმოებაში, ასევე გამოიყენება დიოდისა და ტრანზისტორის ელემენტებისთვის ან სუბსტრატისთვის IC-სთვის, როგორიცაა ბიპოლარული ტიპის, MOS და BiCMOS მოწყობილობები.გარდა ამისა, მრავალშრიანი ეპიტაქსიალური და სქელი ფირის EPI სილიკონის ვაფლები ხშირად გამოიყენება მიკროელექტრონიკაში, ფოტონიკასა და ფოტოელექტროსადგურებში.