გალიუმის არსენიდი GaAs

აღწერა

გალიუმის არსენიდიGaAs არის III-V ჯგუფის პირდაპირი ზოლის ნაერთის ნახევარგამტარი, სინთეზირებული მინიმუმ 6N 7N მაღალი სისუფთავის გალიუმის და დარიშხანის ელემენტით და გაიზარდა კრისტალი VGF ან LEC პროცესით მაღალი სისუფთავის პოლიკრისტალური გალიუმის არსენიდი, ნაცრისფერი ფერის გარეგნობა, კუბური კრისტალები თუთია-ბლენდის სტრუქტურით.ნახშირბადის, სილიციუმის, ტელურუმის ან თუთიის დოპინგით n-ტიპის ან p-ტიპის და ნახევრად საიზოლაციო გამტარობის მისაღებად, ცილინდრული InAs კრისტალი შეიძლება დაიჭრას და დამზადდეს ბლანკებად და ვაფლად, როგორც დაჭრილი, დამუშავებული, გაპრიალებული ან ეპი. -მზადაა MBE ან MOCVD ეპიტაქსიალური ზრდისთვის.გალიუმის არსენიდის ვაფლი ძირითადად გამოიყენება ელექტრონული მოწყობილობების დასამზადებლად, როგორიცაა ინფრაწითელი სინათლის დიოდები, ლაზერული დიოდები, ოპტიკური ფანჯრები, საველე ეფექტის ტრანზისტორები FET-ები, ციფრული IC და მზის უჯრედები.GaAs კომპონენტები სასარგებლოა ულტრა მაღალი რადიო სიხშირეების და სწრაფი ელექტრონული გადართვის აპლიკაციებში, სუსტი სიგნალის გაძლიერების აპლიკაციებში.გარდა ამისა, გალიუმის არსენიდის სუბსტრატი იდეალური მასალაა RF კომპონენტების, მიკროტალღური სიხშირის და მონოლითური IC-ების და LED მოწყობილობების დასამზადებლად ოპტიკურ კომუნიკაციებსა და საკონტროლო სისტემებში მისი გაჯერებული დარბაზის მობილურობის, მაღალი სიმძლავრის და ტემპერატურის სტაბილურობისთვის.

მიწოდება

გალიუმის არსენიდის GaA-ები Western Minmetals (SC) Corporation-ში შეიძლება მიწოდებული იყოს პოლიკრისტალური ნაჭრის სახით ან ერთკრისტალური ვაფლის სახით, როგორც მოჭრილი, ამოჭრილი, გაპრიალებული ან ეპიდ მზად ვაფლებში 2” 3” 4” და 6” (50 მმ, 75 მმ, 100 მმ, 150 მმ) დიამეტრი, p-ტიპის, n-ტიპის ან ნახევრად საიზოლაციო გამტარობით და <111> ან <100> ორიენტირებით.მორგებული სპეციფიკაცია არის სრულყოფილი გადაწყვეტისთვის ჩვენი მომხმარებლებისთვის მთელ მსოფლიოში.

გამოკითხვა ახლა

დეტალები

ტეგები

Ტექნიკური სპეციფიკაცია

გალიუმის არსენიდი

GaAs

გალიუმის არსენიდი GaAsვაფლები ძირითადად გამოიყენება ელექტრონული მოწყობილობების დასამზადებლად, როგორიცაა ინფრაწითელი შუქის დიოდები, ლაზერული დიოდები, ოპტიკური ფანჯრები, საველე ეფექტის მქონე ტრანზისტორები FET-ები, ციფრული IC-ები და მზის უჯრედები.GaAs კომპონენტები სასარგებლოა ულტრა მაღალი რადიო სიხშირეების და სწრაფი ელექტრონული გადართვის აპლიკაციებში, სუსტი სიგნალის გაძლიერების აპლიკაციებში.გარდა ამისა, გალიუმის არსენიდის სუბსტრატი იდეალური მასალაა RF კომპონენტების, მიკროტალღური სიხშირის და მონოლითური IC-ების და LED მოწყობილობების დასამზადებლად ოპტიკურ კომუნიკაციებსა და საკონტროლო სისტემებში მისი გაჯერებული დარბაზის მობილურობის, მაღალი სიმძლავრის და ტემპერატურის სტაბილურობისთვის.

არა.	ნივთები	სტანდარტული სპეციფიკაცია
1	ზომა	2"	3"	4"	6"
2	დიამეტრი მმ	50,8±0,3	76,2±0,3	100±0.5	150±0.5
3	ზრდის მეთოდი	VGF	VGF	VGF	VGF
4	გამტარობის ტიპი	N-ტიპი/Si ან Te-დოპირებული, P-ტიპი/Zn-დოპირებული, ნახევრად საიზოლაციო/არადოპირებული
5	ორიენტაცია	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°	(100)±0,5°
6	სისქე მმ	350±25	625±25	625±25	650±25
7	ორიენტაცია ბრტყელი მმ	17±1	22±1	32±1	ჭრილი
8	იდენტიფიკაცია ბინა მმ	7±1	12±1	18±1	-
9	წინაღობა Ω-სმ	(1-9)E(-3) p-ტიპისთვის ან n-ტიპისთვის, (1-10)E8 ნახევრად იზოლაციისთვის
10	მობილურობა სმ2/ვს	50-120 p-ტიპისთვის, (1-2.5)E3 n-ტიპისთვის, ≥4000 ნახევრად იზოლაციისთვის
11	მატარებლის კონცენტრაცია სმ-3	(5-50)E18 p-ტიპისთვის, (0.8-4)E18 n-ტიპისთვის
12	TTV μm max	10	10	10	10
13	მშვილდი მმ მაქს	30	30	30	30
14	Warp μm max	30	30	30	30
15	EPD სმ-2	5000	5000	5000	5000
16	ზედაპირის დასრულება	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
17	შეფუთვა	ერთჯერადი ვაფლის კონტეინერი დალუქული ალუმინის კომპოზიციურ ჩანთაში.
18	შენიშვნები	მექანიკური კლასის GaAs ვაფლი ასევე ხელმისაწვდომია მოთხოვნის შემთხვევაში.

ხაზოვანი ფორმულა	GaAs
Მოლეკულური წონა	144.64
კრისტალური სტრუქტურა	თუთიის ბლენდი
გარეგნობა	ნაცრისფერი კრისტალური მყარი
დნობის წერტილი	1400°C, 2550°F
Დუღილის წერტილი	N/A
სიმკვრივე 300K	5,32 გ/სმ³
ენერგიის უფსკრული	1.424 ევ
შინაგანი წინააღმდეგობა	3.3E8 Ω-სმ
CAS ნომერი	1303-00-0
EC ნომერი	215-114-8

გალიუმის არსენიდი GaAsWestern Minmetals (SC) Corporation-ში შეიძლება მიწოდებული იყოს როგორც პოლიკრისტალური ერთობლიობა ან ერთკრისტალური ვაფლი, როგორც მოჭრილი, ამოჭრილი, გაპრიალებული ან ეპიდემიური ვაფლები ზომით 2” 3” 4” და 6” (50 მმ, 75 მმ, 100 მმ). , 150 მმ) დიამეტრი, p-ტიპის, n-ტიპის ან ნახევრად საიზოლაციო გამტარობით და <111> ან <100> ორიენტირებით.მორგებული სპეციფიკაცია არის სრულყოფილი გადაწყვეტისთვის ჩვენი მომხმარებლებისთვის მთელ მსოფლიოში.