გალიუმის ნიტრიდი GaN

აღწერა

გალიუმის ნიტრიდი GaN, CAS 25617-97-4, მოლეკულური მასა 83.73, ვურციტის კრისტალური სტრუქტურა, არის ორობითი ნაერთის პირდაპირი ზოლიანი ნახევარგამტარი III-V ჯგუფისა, რომელიც გაიზარდა მაღალგანვითარებული ამონოთერმული პროცესის მეთოდით.ახასიათებს სრულყოფილი კრისტალური ხარისხი, მაღალი თბოგამტარობა, მაღალი ელექტრონების მობილურობა, მაღალი კრიტიკული ელექტრული ველი და ფართო ზოლი, Gallium Nitride GaN-ს აქვს სასურველი მახასიათებლები ოპტოელექტრონიკასა და სენსორულ პროგრამებში.

აპლიკაციები

Gallium Nitride GaN შესაფერისია უახლესი მაღალი სიჩქარით და მაღალი სიმძლავრის ნათელი შუქდიოდების LED კომპონენტების, ლაზერული და ოპტოელექტრონული მოწყობილობების წარმოებისთვის, როგორიცაა მწვანე და ლურჯი ლაზერები, მაღალი ელექტრონების მობილურობის ტრანზისტორები (HEMT) და მაღალი სიმძლავრის პროდუქტები. და მაღალი ტემპერატურის მოწყობილობების მწარმოებელი ინდუსტრია.

მიწოდება

გალიუმის ნიტრიდი GaN Western Minmetals (SC) Corporation-ში შეიძლება მიწოდებული იყოს წრიული ვაფლის ზომით 2 ინჩი ”ან 4” (50 მმ, 100 მმ) და კვადრატული ვაფლი 10 × 10 ან 10 × 5 მმ.ნებისმიერი მორგებული ზომა და სპეციფიკაცია არის სრულყოფილი გადაწყვეტა ჩვენი მომხმარებლებისთვის მთელ მსოფლიოში.

გამოკითხვა ახლა

დეტალები

ტეგები

Ტექნიკური სპეციფიკაცია

გალიუმის ნიტრიდი GaN

გალიუმის ნიტრიდი GaNWestern Minmetals (SC) Corporation-ში შეიძლება მიწოდებული იყოს წრიული ვაფლის ზომით 2 ინჩი ”ან 4” (50 მმ, 100 მმ) და კვადრატული ვაფლი 10×10 ან 10×5 მმ.ნებისმიერი მორგებული ზომა და სპეციფიკაცია არის სრულყოფილი გადაწყვეტა ჩვენი მომხმარებლებისთვის მთელ მსოფლიოში.

არა.	ნივთები	სტანდარტული სპეციფიკაცია
1	ფორმა	წრიული	წრიული	მოედანი
2	ზომა	2"	4"	--
3	დიამეტრი მმ	50,8±0,5	100±0.5	--
4	გვერდის სიგრძე მმ	--	--	10x10 ან 10x5
5	ზრდის მეთოდი	HVPE	HVPE	HVPE
6	ორიენტაცია	C- თვითმფრინავი (0001)	C- თვითმფრინავი (0001)	C- თვითმფრინავი (0001)
7	გამტარობის ტიპი	N-ტიპის/Si-doped, un-doped, ნახევრად საიზოლაციო
8	წინაღობა Ω-სმ	<0.1, <0.05, >1E6
9	სისქე მმ	350±25	350±25	350±25
10	TTV μm max	15	15	15
11	მშვილდი მმ მაქს	20	20	20
12	EPD სმ-2	<5E8	<5E8	<5E8
13	ზედაპირის დასრულება	P/E, P/P	P/E, P/P	P/E, P/P
14	ზედაპირის უხეშობა	წინა: ≤0,2 ნმ, უკანა: 0,5-1,5 მკმ ან ≤0,2 ნმ
15	შეფუთვა	ერთჯერადი ვაფლის კონტეინერი დალუქული ალუმინის ჩანთაში.

ხაზოვანი ფორმულა	GaN
Მოლეკულური წონა	83.73
კრისტალური სტრუქტურა	თუთიის ბლენდი/ვურციტი
გარეგნობა	გამჭვირვალე მყარი
დნობის წერტილი	2500 °C
Დუღილის წერტილი	N/A
სიმკვრივე 300K	6,15 გ/სმ³
ენერგიის უფსკრული	(3.2-3.29) eV 300K-ზე
შინაგანი წინააღმდეგობა	>1E8 Ω-სმ
CAS ნომერი	25617-97-4
EC ნომერი	247-129-0

გალიუმის ნიტრიდი GaNშესაფერისია უახლესი მაღალი სიჩქარით და მაღალი სიმძლავრის ნათელი შუქდიოდების LED კომპონენტების, ლაზერული და ოპტოელექტრონული მოწყობილობების წარმოებისთვის, როგორიცაა მწვანე და ლურჯი ლაზერები, მაღალი ელექტრონების მობილურობის ტრანზისტორები (HEMTs) და მაღალი სიმძლავრის და მაღალი სიმძლავრის მქონე პროდუქტებისთვის. ტემპერატურის მოწყობილობების წარმოების ინდუსტრია.