გალიუმის ფოსფიდი GaP

აღწერა

Gallium Phosphide GaP, უნიკალური ელექტრული თვისებების მნიშვნელოვანი ნახევარგამტარი, როგორც სხვა III-V ნაერთის მასალები, კრისტალიზდება თერმოდინამიკურად სტაბილურ კუბურ ZB სტრუქტურაში, არის ნარინჯისფერ-ყვითელი ნახევრად გამჭვირვალე კრისტალური მასალა 2,26 eV (300K) არაპირდაპირი ზოლებით. სინთეზირებულია 6N 7N მაღალი სისუფთავის გალიუმისა და ფოსფორისგან და გაიზარდა ერთკრისტალად თხევადი კაფსულირებული ჩოხრალსკის (LEC) ტექნიკით.გალიუმის ფოსფიდის კრისტალი არის დოპირებული გოგირდი ან თელურიუმი n-ტიპის ნახევარგამტარის მისაღებად, ხოლო თუთია დოპირებულია p-ტიპის გამტარობის სახით სასურველ ვაფლში შემდგომი დამზადებისთვის, რომელიც გამოიყენება ოპტიკურ სისტემაში, ელექტრონულ და სხვა ოპტოელექტრონულ მოწყობილობებში.Single Crystal GaP ვაფლი შეიძლება მომზადდეს Epi-Ready თქვენი LPE, MOCVD და MBE ეპიტაქსიალური გამოყენებისთვის.მაღალი ხარისხის ერთკრისტალური გალიუმის ფოსფიდის GaP ვაფლის p-ტიპის, n-ტიპის ან დაუმუშავებელი გამტარობა Western Minmetals (SC) Corporation-ში შეიძლება შემოგთავაზოთ ზომით 2" და 3" (50მმ, 75მმ დიამეტრი), ორიენტაცია <100>,<111 > მოჭრილი, გაპრიალებული ან ეპიდემიური პროცესის ზედაპირის დასრულებით.

აპლიკაციები

დაბალი დენით და მაღალი ეფექტურობით შუქის გამოსხივებაში, გალიუმის ფოსფიდის GaP ვაფლი შესაფერისია ოპტიკური დისპლეის სისტემებისთვის, როგორიცაა იაფფასიანი წითელი, ნარინჯისფერი და მწვანე შუქის დიოდები (LED) და ყვითელი და მწვანე LCD და ა.შ. და LED ჩიპების წარმოება. დაბალი და საშუალო სიკაშკაშე, GaP ასევე ფართოდ არის მიღებული, როგორც ძირითადი სუბსტრატი ინფრაწითელი სენსორების და მონიტორინგის კამერების წარმოებისთვის.

გამოკითხვა ახლა

დეტალები

ტეგები

Ტექნიკური სპეციფიკაცია

გალიუმის ფოსფიდი GaP

მაღალი ხარისხის ერთკრისტალური Gallium Phosphide GaP ვაფლი ან სუბსტრატის p-ტიპის, n-ტიპის ან დაუმუშავებელი გამტარობა Western Minmetals (SC) Corporation-ში შეიძლება შემოგთავაზოთ ზომით 2" და 3" (50მმ, 75მმ) დიამეტრით, ორიენტაცია <100> , <111> ზედაპირის მოპირკეთებით, როგორც მოჭრილი, შეფუთული, ამოჭრილი, გაპრიალებული, ეპი-მზა დამუშავებული ერთ ვაფლის კონტეინერში დალუქული ალუმინის კომპოზიციურ ჩანთაში ან პერსონალურად მორგებული სპეციფიკაციებით სრულყოფილი გადაწყვეტისთვის.

არა.	ნივთები	სტანდარტული სპეციფიკაცია
1	GaP ზომა	2"
2	დიამეტრი მმ	50,8 ± 0,5
3	ზრდის მეთოდი	LEC
4	გამტარობის ტიპი	P-ტიპი/Zn-დოპირებული, N-ტიპი/(S, Si,Te)-დოპირებული, დაუდოპირებული
5	ორიენტაცია	<1 1 1> ± 0,5°
6	სისქე მმ	(300-400) ± 20
7	წინაღობა Ω-სმ	0,003-0,3
8	ორიენტაცია ბრტყელი (OF) მმ	16±1
9	იდენტიფიკაცია ბრტყელი (IF) მმ	8±1
10	დარბაზის მობილურობა სმ2/ვს მინ	100
11	მატარებლის კონცენტრაცია სმ^-3	(2-20) E17
12	დისლოკაციის სიმკვრივე სმ^-2მაქს	2.00E+05
13	ზედაპირის დასრულება	P/E, P/P
14	შეფუთვა	ერთჯერადი ვაფლის კონტეინერი დალუქული ალუმინის კომპოზიციურ ჩანთაში, მუყაოს ყუთში გარეთ

ხაზოვანი ფორმულა	GaP
Მოლეკულური წონა	100.7
კრისტალური სტრუქტურა	თუთიის ბლენდი
გარეგნობა	ნარინჯისფერი მყარი
დნობის წერტილი	N/A
Დუღილის წერტილი	N/A
სიმკვრივე 300K	4.14 გ/სმ³
ენერგიის უფსკრული	2.26 ევ
შინაგანი წინააღმდეგობა	N/A
CAS ნომერი	12063-98-8
EC ნომერი	235-057-2

გალიუმის ფოსფიდი GaP ვაფლიდაბალი დენით და მაღალი ეფექტურობით შუქის გამოსხივებაში, შესაფერისია ოპტიკური დისპლეის სისტემებისთვის, როგორიცაა იაფფასიანი წითელი, ნარინჯისფერი და მწვანე შუქის დიოდები (LED) და ყვითელი და მწვანე LCD შუქნიშანი და ა.შ. სიკაშკაშე, GaP ასევე ფართოდ არის მიღებული, როგორც ძირითადი სუბსტრატი ინფრაწითელი სენსორების და მონიტორინგის კამერების წარმოებისთვის.