ინდიუმის ოქსიდი

აღწერა

ინდიუმის ოქსიდი In₂O₃ან ინდიუმის ტრიოქსიდი 99,99%, 99,995%, 99,999% და 99,9999%, მიკროფხვნილი ან ნანონაწილაკი ღია ყვითელი მყარი ფხვნილი, CAS 1312-43-3, სიმკვრივე 7,18გ/სმ³და დნება დაახლოებით 2000 °C, არის სტაბილური კერამიკული მასალა, რომელიც წყალში ხსნადია, მაგრამ ცხელ არაორგანულ მჟავაში ხსნადი.Indium Oxide In₂O₃არის n-ტიპის ნახევარგამტარული ფუნქციის მასალა, რომელსაც აქვს მცირე წინაღობა, უფრო მაღალი კატალიზური აქტივობა და ფართო ზოლის უფსკრული ოპტოელექტრონული გამოყენებისთვის. Indium Oxide In₂O₃Western Minmetals (SC) Corporation-ში შეიძლება მიწოდებული იქნას 99.99%, 99.995%, 99.999% და 99.9999% ზომით 2-10 მიკრონი ან -100 mesh ფხვნილი და ნანო კლასის, 1 კგ შეფუთული პოლიეთილენის ბოთლში დალუქული პლასტიკური პარკით. ან 1 კგ, 2 კგ 5 კგ კომპოზიტურ ალუმინის ჩანთაში, მუყაოს ყუთით გარეთ, ან როგორც მორგებული სპეციფიკაციები სრულყოფილი გადაწყვეტილებებისთვის.

აპლიკაციები

Indium Oxide In₂O₃ფართოდ გამოიყენება ფოტოელექტრო, გაზის სენსორებში, თხელი ფირის ინფრაწითელ რეფლექტორებში, კატალიზატორის გამოყენებაში, სპეციალიზებულ მინის ფერის დანამატში, ტუტე ბატარეებში და მაღალი დენის ელექტრო ჩამრთველებში და კონტაქტებში, მეტალის სარკის დამცავ საფარში და ელექტრო-ოპტიკური ნახევარგამტარული ფილმისთვის. ჩვენება და ა.შ₂O₃არის ITO სამიზნის მთავარი შემადგენელი დისპლეი, ენერგოეფექტური ფანჯრები და ფოტოელექტროები.გარდა ამისა, ინ₂O₃არის როგორც რეზისტენტული ელემენტი IC-ებში, რათა შექმნას ჰეტეროკავშირები მასალებთან, როგორიცაა p-InP, n-GaAs, n-Si და სხვა ნახევარგამტარები.იმავდროულად, აქვს ზედაპირული ეფექტი, მცირე ზომის და მაკროსკოპული კვანტური გვირაბის ეფექტი,ნანო ინ₂O₃ძირითადად განკუთვნილია ოპტიკური და ანტისტატიკური საფარისთვის, გამჭვირვალე გამტარ საიზოლაციო გამოყენებისთვის.

გამოკითხვა ახლა

დეტალები

ტეგები

Ტექნიკური სპეციფიკაცია

In₂O₃

გარეგნობა	მოყვითალო ფხვნილი
Მოლეკულური წონა	277.63
სიმჭიდროვე	7.18 გ/სმ³
დნობის წერტილი	2000°C
CAS No.	1312-43-2 წწ

არა.	ელემენტი		სტანდარტული სპეციფიკაცია
1	სიწმინდე In₂O₃≥		უწმინდურობა (ICP-MS ტესტის ანგარიში PPM მაქსიმუმ თითოეული)
2	4N	99.99%	Cu/Al 20, Ti 3.0, Pb 4.0, Sn 7.0, Cd 8.0, Fe 15	სულ ≤100
	4N5	99.995%	Cu/Al/Cd/Sn/Ti/Ni/As/Zn 1.0, Si 2.0, Fe/Ca 5.0	სულ ≤50
	5N	99.999%	Cu/Pb/Cd/Fe/Ni 0.5, Ca/Sn/Ti 1.0	სულ ≤10
	6N	99.9999%	ხელმისაწვდომია მოთხოვნისამებრ	სულ ≤1.0
3	ზომა		2-10μm ფხვნილი 4N 5N5 5N სიწმინდისთვის, -100mesh ფხვნილი 6N სიწმინდისთვის
4	შეფუთვა		1 კგ პოლიეთილენის ბოთლში დახურული პლასტიკური პარკით გარეთ

Indium Oxide In₂O₃ ან ინდიუმის ტრიოქსიდი ში₂O₃Western Minmetals (SC) Corporation-ში შეიძლება მიწოდებული იქნას 99.99%, 99.995%, 99.999% და 99.9999% 4N 4N5 5N 6N ზომით 2-10 მიკრონი ან -100 mesh ფხვნილი და ნანო კლასის, 1 კგ პოლიეთილენის ბოთლში შეფუთული. დალუქული პლასტიკური ჩანთა, შემდეგ მუყაოს ყუთი გარეთ, ან როგორც მორგებული სპეციფიკაციები სრულყოფილი გადაწყვეტილებებისთვის.

Indium Oxide In₂O₃ფართოდ გამოიყენება ფოტოელექტრო, გაზის სენსორებში, თხელი ფირის ინფრაწითელ რეფლექტორებში, კატალიზატორის გამოყენებაში, სპეციალიზებულ მინის ფერის დანამატში, ტუტე ბატარეებში და მაღალი დენის ელექტრო ჩამრთველებში და კონტაქტებში, მეტალის სარკის დამცავ საფარში და ელექტრო-ოპტიკური ნახევარგამტარული ფილმისთვის. ჩვენება და ა.შ₂O₃არის ITO სამიზნის მთავარი შემადგენელი დისპლეი, ენერგოეფექტური ფანჯრები და ფოტოელექტროები.გარდა ამისა, ინ₂O₃არის როგორც რეზისტენტული ელემენტი IC-ებში, რათა შექმნას ჰეტეროკავშირები მასალებთან, როგორიცაა p-InP, n-GaAs, n-Si და სხვა ნახევარგამტარები.იმავდროულად, აქვს ზედაპირული ეფექტი, მცირე ზომის და მაკროსკოპული კვანტური გვირაბის ეფექტი, Nano In₂O₃ძირითადად განკუთვნილია ოპტიკური და ანტისტატიკური საფარისთვის, გამჭვირვალე გამტარ საიზოლაციო გამოყენებისთვის.